Транзистор із вбудованим діодом

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
Потужний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P застосовується в інверторах, блоках живлення, перетворювачах частоти та іншій силовій електроніці. Має високу надійність, здатність працювати з великими струмами й напругами, а також вбудований швидкий діод.
Призначений для промислових і побутових пристроїв: зварювальні апарати, джерела живлення, ДБЖ, перетворювачі напруги, зарядні станції та інше обладнання.
Переваги:
Робоча напруга до 1200 В
Максимальний струм колектора 25 А
Вбудований швидкий діод для захисту та стабільності
Корпус TO-3P з ефективним відведенням тепла
Універсальне використання в силовій електроніці
Характеристики:
Тип: IGBT транзистор
Модель: FGA25N120 / 25N120
Корпус: TO-3P
Максимальна напруга: 1200 В
Максимальний струм: 25 А
Вбудований діод: є