30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей

30F131 TO-263-2 — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
Лот из 1 штуки 30F131 в корпусе TO-263-2 представляет собой высокоэффективный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в плазменных панелях, инверторах и других высоковольтных электронных схемах. Этот чип обеспечивает высокую производительность при работе с большими токами, позволяя стабильно управлять нагрузкой.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 300 В и максимальный ток 200 А делают 30F131 надежным компонентом для мощных электронных систем. Напряжение насыщения при номинальном токе составляет 1.9 В, а рассеиваемая мощность до 140 Вт, что позволяет использовать транзистор в схемах с высокой интенсивностью работы без перегрева и нестабильности.
Корпус TO-263-2 обеспечивает удобный монтаж на печатные платы и эффективное отведение тепла с помощью радиаторов или теплоотводов. Транзистор 30F131 применяется в промышленных и бытовых устройствах, где требуется точное управление высокими токами и напряжением. Простота интеграции и высокая надежность делают этот компонент незаменимым для инженеров и мастеров сервисных центров, занимающихся ремонтом и изготовлением плазменных панелей и других высоковольтных устройств.
Характеристики:
• Модель: 30F131
• Корпус: TO-263-2
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
• Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
• Мощность: 140 Вт
• Тип: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)