IGBT транзистор 1200В 25А с диодом, TO-3P

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
Мощный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P предназначен для работы в схемах инверторов, источников питания, преобразователей частоты и другой силовой электроники. Отличается высокой надежностью, возможностью работы с большими токами и напряжениями, а также наличием встроенного быстрого диода.
Подходит для использования в промышленных и бытовых устройствах: сварочные аппараты, блоки питания, ИБП, преобразователи напряжения, зарядные станции и другое оборудование.
Преимущества:
Высокое рабочее напряжение до 1200 В
Максимальный ток коллектора 25 А
Встроенный быстрый диод для защиты и повышения надежности
Корпус TO-3P для эффективного отвода тепла
Универсальное применение в силовой электронике
Характеристики:
Тип: IGBT транзистор
Модель: FGA25N120 / 25N120
Корпус: TO-3P
Максимальное напряжение: 1200 В
Максимальный ток: 25 А
Встроенный диод: есть